一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010258596.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113496871A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113496871A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/02（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/44（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李小艷;張俊寶;陳猛 申請（專利權(quán)）人 重慶超硅半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號附188號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法。所述外延基底用硅晶片之背面膜層包括：雙層膜，所述雙層膜包括直接覆蓋在硅晶片背面上的第一層，以及第一層上覆蓋的第二層；所述外延基底用硅晶片之背面膜層的制造方法包括：步驟1，待處理硅晶片正面（拋光面）向上、背面向下置于爐內(nèi)晶舟中，采用低壓化學(xué)氣相沉積法分兩步生長第一層膜；步驟2，翻轉(zhuǎn)步驟1后的硅晶片，正面（拋光面）向下、背面朝上置于爐內(nèi)托盤上，采用低溫高速化學(xué)氣相沉積法繼續(xù)在第一層上生長第二層膜。本發(fā)明的優(yōu)勢在于：提高了背面雙層膜的膜厚均勻性，解決了因硅晶片背面膜厚不均勻、晶舟印、顆粒等問題導(dǎo)致的拋光不良。