一種集成電路用硅片邊緣形貌控制方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010258530.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113496870A 公開（公告）日 2021-10-12
申請(qǐng)公布號(hào) CN113496870A 申請(qǐng)公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張俊寶;陳猛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海超硅半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號(hào)附188
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路用硅片的邊緣形貌控制方法，其特征在于，通過(guò)控制行星片的材質(zhì)和不同的區(qū)域的硬度分布、行星片與集成電路用硅片接觸片的邊緣形貌以及研磨料的成分、粒徑分布和形貌來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)集成電路用硅片邊緣形貌的控制；具體為：行星片材質(zhì)為不銹鋼，與集成電路用硅片邊緣接觸區(qū)域有一個(gè)高硬度的圓環(huán)區(qū)域FA，行星片與集成電路用硅片接觸處的邊緣形貌M1與集成電路用硅片Swafer的邊緣形貌M相同，并通過(guò)旋轉(zhuǎn)形成；同時(shí)，研磨料中球形磨粒比例為80～100%。本發(fā)明通過(guò)對(duì)行星片材質(zhì)、硬度分布、污染風(fēng)險(xiǎn)、邊緣形狀以及磨粒的形狀和粒徑進(jìn)行控制，消除在轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中硅片邊緣受到行星片來(lái)回撞擊以及金屬污染、邊緣不必要磨損而對(duì)硅片產(chǎn)生損傷的風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片邊緣形貌的控制與保護(hù)。