一種集成電路用硅片的均勻腐蝕方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010258298.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113496887A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113496887A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張俊寶;陳猛 申請（專利權(quán)）人 重慶超硅半導體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號附188
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種集成電路用單晶硅片的均勻腐蝕方法。采用HNO3、HF及表面活性劑C配制的酸腐蝕液對硅片進行腐蝕；通過用戶的TTV要求確定最大厚度偏差變化；通過工藝要求的腐蝕厚度D和酸腐蝕液對硅片的腐蝕速度S確定腐蝕時間te，再通過最大厚度偏差變化與硅片旋轉(zhuǎn)v、機械手搖動頻率f及通入氣體鼓泡時間t的關(guān)系，獲得鼓泡時間t；并根據(jù)鼓泡時間t和腐蝕時間te的關(guān)系確定是否為均勻腐蝕；當滿足條件時，即可實現(xiàn)均勻腐蝕；如果不滿足條件，可調(diào)高硅片旋轉(zhuǎn)v和機械手搖動頻率f，從而滿足條件，實現(xiàn)均勻腐蝕。