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    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開(公告)號 公布日期
    1 高壓IGBT器件的VLD終端及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210563950.6 CN103887331B 2019-04-16
    2 高壓IGBT器件的VLD終端及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210563950.6 CN103887331A 2019-04-16
    3 一種適用于深槽超結(jié)器件的結(jié)終端及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210563935.1 CN103887338B 2019-03-01
    4 一種適用于深槽超結(jié)器件的結(jié)終端及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210563935.1 CN103887338A 2019-03-01
    5 MEMS陣列電可調(diào)諧光衰減器及其制備方法 發(fā)明專利 CN201210563668.8 CN103885122B 2019-02-01
    6 光纖放大器動態(tài)增益斜率均衡器及其制備工藝 發(fā)明專利 CN201210563947.4 CN103885177B 2017-09-12
    7 光纖放大器動態(tài)增益斜率均衡器及其制備工藝 發(fā)明專利 CN201210563947.4 CN103885177A 2017-09-12
    8 一種微機電六軸慣性傳感器 發(fā)明專利 CN201210585811.3 CN103900546B 2016-08-03
    9 一種微機電六軸慣性傳感器 發(fā)明專利 CN201210585811.3 CN103900546A 2016-08-03
    10 MEMS器件真空封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201210553014.7 CN103879950B 2016-01-20

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