MEMS陣列電可調諧光衰減器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210563668.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103885122B 公開（公告）日 2019-02-01
申請公布號 CN103885122B 申請公布日 2019-02-01
分類號 G02B6/26;B81C1/00 分類 光學;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權）人 上海迎翱芯物聯(lián)網(wǎng)合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構 上海金盛協(xié)力知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 王松
地址 201815 上海市嘉定區(qū)興賢路1368號3幢3157號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明揭示了一種MEMS陣列電可調諧光衰減器及其制備方法，所述衰減器包括：MEMS陣列光阻擋驅動器芯片、輸入光纖陣列、輸出光纖陣列；所述輸入光纖陣列、輸出光纖陣列進行直接光學對準耦合，MEMS陣列光阻擋驅動器芯片中的MEMS光阻擋器陣列設置于輸入光纖陣列、輸出光纖陣列的間隙中，實現(xiàn)N路通道的光信號功率的獨立控制，其中，N≥2。本發(fā)明提出的陣列電可調諧光衰減器，具有小體積、低單通道成本、良好一致性、衰減范圍大、驅動電壓低等優(yōu)點。