MEMS器件真空封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210553014.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103879950B 公開（公告）日 2016-01-20
申請公布號 CN103879950B 申請公布日 2016-01-20
分類號 B81B7/00;B81C1/00 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 焦繼偉;王敏昌;顏培力;秦嵩 申請（專利權(quán)）人 上海迎翱芯物聯(lián)網(wǎng)合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所 代理人 李儀萍
地址 201815 上海市嘉定區(qū)興賢路1368號3幢3157室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種MEMS器件真空封裝結(jié)構(gòu)，至少包括基板、結(jié)構(gòu)層及蓋板。本發(fā)明基板中形成填充有外延材料及絕緣層的通孔，通孔（環(huán)形隔離結(jié)構(gòu)）側(cè)壁的絕緣材料實現(xiàn)電學(xué)隔離，且由于通孔采用外延生長的硅材料來填充，則其填充物致密性很高，提高器件真空封裝結(jié)構(gòu)的可靠性，同時有效解決金屬填充物與硅的熱膨脹系數(shù)差異引起的可靠性降低的問題；本發(fā)明為全硅結(jié)構(gòu)，具有無放氣、長期穩(wěn)定性好和可靠性好的優(yōu)勢；當(dāng)MEMS器件存在需要電極對應(yīng)的組件時，則形成與所述組件垂直對應(yīng)的通孔，且所述通孔中的外延材料作為填充電極，由于所述填充電極是與被封裝的MEMS器件垂直對應(yīng)的電極，從而提高了封裝密度，減小了MEMS器件的封裝面積。