中芯國際
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專利信息5569
| 序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 化學機械研磨方法 | 發(fā)明專利 | CN201910015829.1 | CN111421462B | 2022-03-22 |
| 2 | 半導體器件及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN201810117271.3 | CN110120345B | 2022-03-22 |
| 3 | 半導體器件及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN201710897542.7 | CN109585290B | 2022-03-22 |
| 4 | SRAM單元及其檢測方法、SRAM單元的檢測系統(tǒng)和SRAM器件 | 發(fā)明專利 | CN201710037835.8 | CN108320775B | 2022-03-22 |
| 5 | 半導體結構及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010912159.6 | CN114203814A | 2022-03-18 |
| 6 | 半導體結構及半導體結構的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010988486.X | CN114203698A | 2022-03-18 |
| 7 | 半導體結構及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010990198.8 | CN114203697A | 2022-03-18 |
| 8 | 半導體結構及半導體結構的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010988492.5 | CN114203696A | 2022-03-18 |
| 9 | 半導體結構及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010988489.3 | CN114203671A | 2022-03-18 |
| 10 | 半導體結構及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010980689.4 | CN114203670A | 2022-03-18 |
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