半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010988492.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114203696A 公開(kāi)（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203696A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L27/088（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳卓凡 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底上若干平行排列的柵極結(jié)構(gòu)；位于各柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底內(nèi)的源漏摻雜區(qū)；位于柵極結(jié)構(gòu)部分側(cè)壁的側(cè)墻結(jié)構(gòu)，所述側(cè)墻結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；位于所述源漏摻雜區(qū)上的導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層與柵極結(jié)構(gòu)之間由側(cè)墻結(jié)構(gòu)隔離；位于導(dǎo)電層上和側(cè)墻結(jié)構(gòu)上的阻擋層。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的阻擋層和側(cè)墻結(jié)構(gòu)能夠共同保護(hù)所述導(dǎo)電層的頂部表面和側(cè)壁表面，減少所述導(dǎo)電層受到損傷。