半導體結構及半導體結構的形成方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010988486.X | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN114203698A | 公開（公告）日 | 2022-03-18 |
| 申請公布號 | CN114203698A | 申請公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號 | H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 紀世良;涂武濤;陳建;張海洋 | 申請（專利權）人 | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 代理機構 | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 | 代理人 | 徐文欣 |
| 地址 | 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種半導體結構，包括：襯底，所述襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)，所述第二區(qū)位于相鄰第一區(qū)之間；位于襯底上的第一鰭部結構和第二鰭部結構，所述第一鰭部結構橫跨所述第二區(qū)，所述第二鰭部結構平行于所述第一鰭部結構；位于第二區(qū)上的第一防擴散結構和第二防擴散結構，部分所述第一防擴散結構位于第一鰭部結構內(nèi)，部分所述第二防擴散結構位于第二鰭部結構內(nèi)，所述第一防擴散結構至少和兩個第二防擴散結構相接。所述半導體結構的性能得到提升。 |
