半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010980689.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114203670A 公開（公告）日 2022-03-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114203670A 申請(qǐng)公布日 2022-03-18
分類號(hào) H01L23/528（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭二虎 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底上形成若干柵極結(jié)構(gòu)以及第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層還位于所述柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁面，且所述柵極結(jié)構(gòu)表面低于所述第一介質(zhì)層表面；在所述柵極結(jié)構(gòu)表面形成柵極保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述柵極保護(hù)結(jié)構(gòu)還位于所述第一介質(zhì)層內(nèi)，且所述柵極保護(hù)結(jié)構(gòu)表面的邊緣高于表面的中心。從而，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能和可靠性。