半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010988489.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114203671A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203671A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L23/528（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I;H01L21/8234（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呼翔 申請（專利權(quán)）人 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 201203上海市浦東新區(qū)張江路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供襯底；形成若干柵極結(jié)構(gòu)和若干源漏摻雜層，所述源漏摻雜層位于相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)之間；在所述源漏摻雜層上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的頂部表面低于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面，在相鄰的所述柵極結(jié)構(gòu)之間具有第一開口；在所述第一開口側(cè)壁形成停止層。通過在所述第一開口的側(cè)壁形成停止層，在后續(xù)刻蝕去除所述第一開口內(nèi)的所述第一保護層時，由于所述第一開口的側(cè)壁具有停止層，會使得刻蝕停止在所述停止層的表面，進(jìn)而避免了刻蝕工藝對柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁造成損傷，因此，在后續(xù)形成導(dǎo)電插塞時，不會造成所述導(dǎo)電插塞與柵極結(jié)構(gòu)之間的短接，進(jìn)而提升最終形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。