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    • 能半導(dǎo)體

    瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

    存續(xù)
    • 地址：江西省南昌市南昌縣小藍(lán)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)小藍(lán)中大道346號(hào)16棟北面一樓
    • 簡(jiǎn)介：-
    • 商標(biāo)信息 6
    • 專利信息 52
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 1
    • 網(wǎng)站備案 4

    商標(biāo)信息6

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 WEENBRIDGE 09類-科學(xué)儀器 25494298 商標(biāo)已注冊(cè) 2017-07-25 查看
    2 WEEN WEEN SEMICONDUCTORS 09類-科學(xué)儀器 20976190 商標(biāo)已注冊(cè) 2016-08-15 查看
    3 瑞能 09類-科學(xué)儀器 17060120 商標(biāo)已注冊(cè) 2015-05-28 查看
    4 圖形 09類-科學(xué)儀器 17048279 商標(biāo)已注冊(cè) 2015-05-27 查看
    5 圖形 09類-科學(xué)儀器 16933735 商標(biāo)已注冊(cè) 2015-05-13 查看
    6 WEEN 09類-科學(xué)儀器 16880150 商標(biāo)已注冊(cè) 2015-05-06 查看

    專利信息52

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 碳化硅MOSFET半導(dǎo)體器件及制作方法 發(fā)明專利 CN202210659847.5 CN114744049A 2022-07-12
    2 碳化硅溝槽柵晶體管及其制造方法 發(fā)明專利 CN202210651597.0 CN114725219A 2022-07-08
    3 一種共陽(yáng)極二極管器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110707360.5 CN113257797B 2022-04-22
    4 半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法 發(fā)明專利 CN202110945983.6 CN113394177A 2021-09-14
    5 一種共陽(yáng)極二極管器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110707360.5 CN113257797A 2021-08-13
    6 一種絕緣柵雙極晶體管終端 實(shí)用新型 CN202022416606.7 CN213150781U 2021-05-07
    7 二極管 實(shí)用新型 CN202022006235.5 CN213124448U 2021-05-04
    8 一種絕緣柵雙極晶體管終端 實(shí)用新型 CN202022417666.0 CN213071146U 2021-04-27
    9 半導(dǎo)體封裝器件 發(fā)明專利 CN202011553044.9 CN112289765B 2021-04-20
    10 碳化硅溝槽柵晶體管 實(shí)用新型 CN202021271284.5 CN212848410U 2021-03-30

    軟件著作權(quán)0

    暫無(wú)信息 暫無(wú)軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)1

    序號(hào) 作品名 作品類別 登記號(hào) 創(chuàng)作完成日期 首次發(fā)表日期 登記批準(zhǔn)日期
    1 WEEN LOGO - 國(guó)作登字-2019-F-00907726 - - -

    網(wǎng)站備案4

    序號(hào) 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號(hào) 主辦單位性質(zhì) 審核日期
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    2 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司 www.ween-semi.cn 贛ICP備2020012643號(hào) 企業(yè) 2020-10-27
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