一種絕緣柵雙極晶體管終端

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022416606.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213150781U 公開（公告）日 2021-05-07
申請公布號 CN213150781U 申請公布日 2021-05-07
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 尹江龍;章劍鋒;向軍利 申請（專利權(quán)）人 瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 代理人 趙秀芹
地址 330052江西省南昌市南昌縣小藍(lán)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)小藍(lán)中大道346號16棟北面一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種絕緣柵雙極晶體管終端。該絕緣柵雙極晶體管終端包括：第一導(dǎo)電類型的襯底；位于所述襯底靠近第一表面?zhèn)鹊闹鹘Y(jié)、浮動環(huán)、溝道截斷環(huán)、氧化層；以及與所述第一表面相對的場截止層；所述浮動環(huán)設(shè)置在所述主結(jié)和所述溝道截斷環(huán)之間；所述浮動環(huán)與所述主結(jié)的間距為預(yù)設(shè)間距，所述預(yù)設(shè)間距用于使所述絕緣柵雙極晶體管的擊穿位置在所述浮動環(huán)上。采用本申請?zhí)峁┑慕^緣柵雙極晶體管終端，可以使得在測試FS?IGBT的擊穿電壓時，擊穿電流的擊穿位置位于浮動環(huán)上，從而可以避免由于snap?back現(xiàn)象導(dǎo)致的測試失敗的情況，可以有效提高測試效率。??