一種絕緣柵雙極晶體管終端
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202022417666.0 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN213071146U | 公開(公告)日 | 2021-04-27 |
| 申請公布號 | CN213071146U | 申請公布日 | 2021-04-27 |
| 分類號 | H01L29/739;H01L29/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 尹江龍;章劍鋒;向軍利 | 申請(專利權)人 | 瑞能半導體科技股份有限公司 |
| 代理機構 | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 | 代理人 | 趙秀芹 |
| 地址 | 330052 江西省南昌市南昌縣小藍經濟開發(fā)區(qū)小藍中大道346號16棟北面一樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請公開了一種絕緣柵雙極晶體管終端,該絕緣柵雙極晶體管終端包括:第一導電類型的襯底;位于所述襯底靠近第一表面?zhèn)鹊闹鹘Y、浮動環(huán)、溝道截斷環(huán)、氧化層;與所述第一表面相對的場截止層;以及位于所述場截止層的下表面?zhèn)鹊碾妶鼋刂箤雍完枠O區(qū),所述電場截止層至少覆蓋所述主結沿垂直于所述電場截止層表面的投影;所述陽極區(qū)與所述電場截止層相接;所述浮動環(huán)設置在所述主結和所述溝道截斷環(huán)之間。采用本申請?zhí)峁┑慕^緣柵雙極晶體管終端,可以避免由于snap?back現(xiàn)象導致的測試失敗的情況,有效提高測試效率。 |





