半導體封裝結構及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110945983.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113394177A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394177A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙良;陳松 申請（專利權）人 瑞能半導體科技股份有限公司
代理機構 北京東方億思知識產(chǎn)權代理有限責任公司 代理人 娜拉
地址 330052江西省南昌市南昌縣小藍經(jīng)濟開發(fā)區(qū)小藍中大道346號16棟北面一樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導體封裝結構及其制造方法，包括：散熱基板；絕緣基板，絕緣基板設于散熱基板上，絕緣基板包括絕緣片以及分別設于絕緣片兩側的第一導電體以及第二導電體；半導體芯片，半導體芯片設于絕緣基板背離散熱基板的一側，且半導體芯片的第一連接端與第二導電體電性連接；金屬支架，金屬支架包括相互連接的引線框架以及連接結構，連接結構與半導體芯片的第二連接端以及第三連接端接觸連接，且連接結構與第二導電體接觸連接；封裝結構，封裝結構包圍散熱基板、絕緣基板、半導體芯片以及連接結構，引線框架的輸出端從封裝結構的一側伸出。在本申請實施例的半導體封裝結構中，焊接次數(shù)減少，連接的穩(wěn)定性提高并散熱效率提升。