聯(lián)星電子
上海聯(lián)星電子有限公司
存續(xù)商標信息0
暫無商標信息
專利信息107
| 序號 | 專利名稱 | 專利類型 | 申請?zhí)?/th> | 公開(公告)號 | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一種IGBT及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201510784090.2 | CN106711205B | 2021-12-21 |
| 2 | 半導體器件的集電極結構及TI-IGBT | 發(fā)明專利 | CN201410133404.8 | CN104979378B | 2020-01-31 |
| 3 | 一種IGBT結構及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201310087246.2 | CN103839994B | 2019-03-22 |
| 4 | IGBT器件及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201210426232.4 | CN103794645B | 2019-02-15 |
| 5 | 一種電場阻斷型IGBT結構的制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201310086227.8 | CN103839804B | 2019-01-11 |
| 6 | 一種平面型IGBT結構的制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201310085579.1 | CN103839803B | 2018-11-06 |
| 7 | 一種功率器件的制備方法 | 發(fā)明專利 | CN201310086257.9 | CN103839805B | 2018-09-11 |
| 8 | 一種溝槽型IGBT結構的制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201310085577.2 | CN103839802B | 2018-09-11 |
| 9 | 一種絕緣互聯(lián)散熱板及功率模塊 | 發(fā)明專利 | CN201210418921.0 | CN103794580B | 2018-09-11 |
| 10 | 一種IGBT的緩沖層結構及其制作方法 | 發(fā)明專利 | CN201310085624.3 | CN103839990B | 2018-06-19 |
軟件著作權0
暫無軟件著作權
作品著作權0
暫無作品著作權
網(wǎng)站備案0

暫無網(wǎng)站備案
郵箱
電話
企業(yè)聯(lián)系方式
關注公眾號,免費查看企業(yè)全部聯(lián)系方式
請使用微信掃描二維碼關注「滿商公司網(wǎng)」
滿商公司網(wǎng)
2億企業(yè)免費查
企業(yè)信息變動早知道
歡迎登錄
沒有賬戶?立即注冊
獲取驗證碼
找回密碼
返回登錄
歡迎登錄
返回登錄
獲取驗證碼