一種IGBT結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310087246.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103839994B 公開（公告）日 2019-03-22
申請公布號 CN103839994B 申請公布日 2019-03-22
分類號 H01L29/739（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡愛斌; 朱陽軍; 盧爍今; 王波; 陸江; 吳振興; 田曉麗; 趙佳 申請（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉麗君
地址 200120 上海市浦東新區(qū)金橋路939號宏南投資大廈1513室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT結(jié)構(gòu)及其制作方法，屬于半導(dǎo)體功率器件。該結(jié)構(gòu)從背面到正面依次包括，P+集電極，N+緩沖層、N?基底、P+基區(qū)、柵極和發(fā)射極；其中，P+集電極位于IGBT器件的底部，N+緩沖層包括第一緩沖層、第二緩沖層和第三緩沖層，P+型集電極到N?基底之間依次有第三緩沖層、第二緩沖層和第一緩沖層。本發(fā)明可以對IGBT的正向?qū)▔航岛完P(guān)斷時間分別優(yōu)化，從而可以獲得更好的導(dǎo)通和關(guān)斷的折中曲線，進而可以優(yōu)化IGBT的開關(guān)特性。