一種IGBT的緩沖層結構及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310085624.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103839990B 公開（公告）日 2018-06-19
申請公布號 CN103839990B 申請公布日 2018-06-19
分類號 H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/26 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 喻巧群;朱陽軍;盧爍今;吳振興;田曉麗 申請（專利權）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機構 北京華沛德權律師事務所 代理人 劉麗君
地址 100029 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種IGBT的緩沖層結構及其制作方法，屬于功率半導體技術領域，該緩沖層包括至少兩層N型摻雜層，緩沖層在漂移區(qū)和P+集電區(qū)之間，制作該緩沖層的方法為：在N?型襯底的背面通過質(zhì)子輻照形成第一摻雜層，第一摻雜層的摻雜濃度為5e14/cm3–5e16/cm3；在第一摻雜層通過掩膜板劃分出掩膜區(qū)域和透光區(qū)域；通過質(zhì)子輻照或者離子注入的方法在透光區(qū)域形成第二摻雜層，第二摻雜層的摻雜濃度為1e15/cm3–5e17/cm3。本發(fā)明可以獲得更理想的緩沖層摻雜濃度分布，可以改善開關速度，同時抑制導通壓降的波動。