IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210426232.4 申請日 -
公開（公告）號 CN103794645B 公開（公告）日 2019-02-15
申請公布號 CN103794645B 申請公布日 2019-02-15
分類號 H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡愛斌;朱陽軍;盧爍今;王波;吳振興;田曉麗;趙佳;陸江 申請（專利權(quán)）人 上海聯(lián)星電子有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 王寶筠
地址 200120 上海市浦東新區(qū)金橋路939號宏南投資大廈1513
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種IGBT器件，該IGBT器件的N型基極區(qū)背面的依次設置有第一N型緩沖層、第二N型緩沖層和第三N型緩沖層，其中所述第一N型緩沖層的摻雜雜質(zhì)為第五主族元素離子，且所述第一N型緩沖層的雜質(zhì)濃度大于N型基極區(qū)的雜質(zhì)濃度，所述第二N型緩沖層的摻雜雜質(zhì)為第六主族元素離子，且所述第二N型緩沖層的雜質(zhì)濃度大于N型基極區(qū)的雜質(zhì)濃度，并小于所述第一N型緩沖層的雜質(zhì)濃度，所述第三N型緩沖層的摻雜雜質(zhì)為第五主族元素離子，且所述第三N型緩沖層的雜質(zhì)濃度大于第一N型緩沖層的雜質(zhì)濃度。三個緩沖層可以分別獨立優(yōu)化IGBT器件的相關(guān)特性，獲得更好的導通和關(guān)斷的折中曲線，進而優(yōu)化IGBT的開關(guān)特性，從而提高了IGBT的器件的整體性能。