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    • 光谷量子

    武漢光谷量子技術有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)科技三路99號武漢光谷·激光科技園1#新型廠房12層
    • 簡介：-
    • 商標信息 2
    • 專利信息 33
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 1
    • 網(wǎng)站備案 4

    商標信息2

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 OVQT 09類-科學儀器 19974687 商標已注冊 2016-05-16 查看
    2 圖形 09類-科學儀器 19974472 商標無效 2016-05-16 查看

    專利信息33

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 窄光譜響應的光電探測器及其制作方法和設計方法 發(fā)明專利 CN202010645475.1 CN111769168B 2022-03-11
    2 臺面型二極管及其制作方法、陣列芯片的制作方法 發(fā)明專利 CN202010640934.7 CN111755555B 2022-01-07
    3 一種分布式布拉格反射鏡及其制作方法和設計方法 發(fā)明專利 CN202010640500.7 CN111884046B 2021-11-09
    4 一種獲取雪崩二極管關鍵參數(shù)的方法 發(fā)明專利 CN202110517997.8 CN113358992A 2021-09-07
    5 一種使用RIE設備刻蝕InP材料的方法及刻蝕InP材料 發(fā)明專利 CN201710631297.5 CN107359113B 2021-04-13
    6 一種深臺面型光電子器件及其電極光刻制備方法 發(fā)明專利 CN202011302059.8 CN112466994A 2021-03-09
    7 一種平面型APD的外延結(jié)構(gòu)、APD及其制作方法 發(fā)明專利 CN202011458010.1 CN112420860A 2021-02-26
    8 一種雪崩光電二極管 實用新型 2020212996866 CN212392253U 2021-01-22
    9 一種半導體摻雜工藝的表征方法、裝置及系統(tǒng) 發(fā)明專利 2020111182742 CN112014333B 2020-12-01
    10 一種半導體摻雜工藝的表征方法、裝置及系統(tǒng) 發(fā)明專利 CN202011118274.2 CN112014333A 2020-12-01

    軟件著作權0

    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權1

    序號 作品名 作品類別 登記號 創(chuàng)作完成日期 首次發(fā)表日期 登記批準日期
    1 光谷量子圖形 - 鄂作登字-2017-F-00001655 - 2016 2017

    網(wǎng)站備案4

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 光谷量子 www.quantum-teck.com 鄂ICP備16007795號 企業(yè) 2020-04-16
    2 光谷量子 www.quantum-teck.com 鄂ICP備16007795號 企業(yè) 2020-04-16
    3 光谷量子 www.quantum-teck.com 鄂ICP備16007795號 企業(yè) 2020-04-16
    4 光谷量子 www.quantum-teck.com 鄂ICP備16007795號 企業(yè) 2020-04-16
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