臺(tái)面型二極管及其制作方法、陣列芯片的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010640934.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111755555B 公開（公告）日 2022-01-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN111755555B 申請(qǐng)公布日 2022-01-07
分類號(hào) H01L31/107（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾磊;王肇中 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光谷量子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 孟歡
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)C1-901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種臺(tái)面型二極管及其制作方法、陣列芯片的制作方法，所述臺(tái)面型二極管自下而上依次包括倍增層、雜質(zhì)控制層和高摻雜P型層，所述倍增層包括擴(kuò)散區(qū)和倍增區(qū)，且所述擴(kuò)散區(qū)和所述雜質(zhì)控制層均由所述高摻雜P型層中的雜質(zhì)在加熱過(guò)程中向下擴(kuò)散而成。本申請(qǐng)?zhí)峁┑呐_(tái)面型二極管，可以避免采用擴(kuò)散爐、有機(jī)金屬氣相沉積等雜志擴(kuò)散設(shè)備，直接通過(guò)加熱擴(kuò)散的方式調(diào)整倍增區(qū)的厚度，調(diào)整各外延片之間存在的片間差異和同一外延片內(nèi)各單元之間的差異，提高陣列芯片各單元之間的一致性，進(jìn)而提高陣列芯片的性能和良率。