一種獲取雪崩二極管關鍵參數的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110517997.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113358992A 公開（公告）日 2021-09-07
申請公布號 CN113358992A 申請公布日 2021-09-07
分類號 G01R31/26 分類 測量；測試;
發(fā)明人 胡勤偉;王肇中 申請（專利權）人 武漢光谷量子技術有限公司
代理機構 武漢智權專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 張凱
地址 430000 湖北省武漢市東湖新技術開發(fā)區(qū)高新大道未來三路武漢光谷激光科技園主樓12樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及InP基雪崩二極管器件關鍵參數技術領域，具體涉及一種獲取雪崩二極管關鍵參數的方法，該方法通過實測待測雪崩二極管的多個測點的測點光電流和測點電壓，根據測點光電流確定對應的測點增益；將對應測點的測點增益和測點電壓進行數學變換后進行線性擬合，并確定擬合線形的斜率和截距；在實際應用中通過斜率和截距即可確定擊穿電壓。還可根據斜率和擊穿電壓確定器件增益和施加電壓的對應關系，能夠迅速地得到在幾倍Vbr時的M值，不用先根據Vbr和倍數算得電壓值再依此去尋找對應光電流從而得到M值，該方案能夠解決按照固定暗電流求得擊穿電壓不準而引起器件工作點偏離的問題。