一種深臺面型光電子器件及其電極光刻制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202011302059.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112466994A | 公開（公告）日 | 2021-03-09 |
| 申請公布號 | CN112466994A | 申請公布日 | 2021-03-09 |
| 分類號 | G03F1/80(2012.01)I;H01L31/102(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張舟;劉媛媛;王肇中 | 申請（專利權(quán)）人 | 武漢光谷量子技術(shù)有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 孟歡 |
| 地址 | 430206湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號C1-901室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請涉及一種深臺面型光電子器件及其電極光刻制備方法，方法包括步驟：加工形成深臺面刻蝕器件；在深臺面刻蝕器件上勻涂第一層反轉(zhuǎn)光刻膠，并進行第一次堅膜烘烤，使第一層反轉(zhuǎn)光刻膠固化；在第一層反轉(zhuǎn)光刻膠上勻涂第二層反轉(zhuǎn)光刻膠，并進行第二次堅膜烘烤，以使所有光刻膠的厚度覆蓋吸收區(qū)的側(cè)壁；依次完成掩膜曝光、反轉(zhuǎn)烘烤、泛曝光及顯影工藝，形成碗狀結(jié)構(gòu)的光刻膠；依次進行金屬生長沉積、金屬lift?off，得到電極光刻后的深臺面型光電子器件。本申請?zhí)峁┑纳钆_面型光電子器件的電極光刻制備方法，有效解決了因側(cè)壁光刻膠覆蓋不足導致器件短路失效的問題，同時改善了電極lift?off工藝良率。?? |
