窄光譜響應(yīng)的光電探測(cè)器及其制作方法和設(shè)計(jì)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010645475.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111769168B 公開(kāi)（公告）日 2022-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN111769168B 申請(qǐng)公布日 2022-03-11
分類號(hào) H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/107（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;CN 1414642 A,2003.04.30;US 2019371956 A1,2019.12.05 周震等.GaAs/GaInNAs多量子阱諧振腔增強(qiáng)型長(zhǎng)波長(zhǎng)光探測(cè)器.《光電子.激光》.2005,第16卷（第02期）,159-163.;劉成等.InP/空氣隙結(jié)構(gòu)的制作與特性.《光電子.激光》.2008,第19卷（第09期）,1188-1191. 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曾磊;王肇中;李林;劉媛媛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢光谷量子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 孟歡
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)C1-901室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)涉及一種窄光譜響應(yīng)的光電探測(cè)器及其制作方法和設(shè)計(jì)方法，所述光電探測(cè)器自上而下依次包括第一反射鏡、功能區(qū)和第二反射鏡；所述第一反射鏡為通過(guò)氣相沉積法形成的分布式布拉格DBR反射鏡；所述第二反射鏡為高折射率對(duì)比度的懸空反射鏡，且所述第二反射鏡的折射率對(duì)比度大于2。本申請(qǐng)?zhí)峁┑恼庾V響應(yīng)的光電探測(cè)器，具有厚度小、制造成本低、工藝難度小的優(yōu)點(diǎn)。