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    • 飛虹微

    山西飛虹微納米光電科技有限公司

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    • 地址：洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村
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    商標(biāo)信息2

    序號(hào) 商標(biāo)名稱 國(guó)際分類 注冊(cè)號(hào) 狀態(tài) 申請(qǐng)日期 操作
    1 飛虹科技 FEIHONG TECH 09類-科學(xué)儀器 12243141 商標(biāo)無效 2013-03-11 查看
    2 陸合飛虹 LU HE FEI HONG 09類-科學(xué)儀器 12243140 商標(biāo)已注冊(cè) 2013-03-11 查看

    專利信息77

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu) 實(shí)用新型 CN202020705748.2 CN212011015U 2020-11-24
    2 經(jīng)過粗化的AlGaAs基LED的制備方法及LED 發(fā)明專利 CN202010241001.0 CN111430512A 2020-07-17
    3 940nm紅外LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010219872.2 CN111276582A 2020-06-12
    4 U型GaN層的生長(zhǎng)方法、U型GaN層和半導(dǎo)體晶體管 發(fā)明專利 CN201911357262.2 CN111081535A 2020-04-28
    5 基于超晶格勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)的LED 實(shí)用新型 CN201920401418.1 CN209461482U 2019-10-01
    6 InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管 實(shí)用新型 CN201920401393.5 CN209389055U 2019-09-13
    7 基于超晶格勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)的LED及其制備方法 發(fā)明專利 CN201910235635.2 CN109904289A 2019-06-18
    8 InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法 發(fā)明專利 CN201910235749.7 CN109802021A 2019-05-24
    9 砷化鎵激光器腔面以及砷化鎵激光器 實(shí)用新型 CN201721223021.5 CN207801155U 2018-08-31
    10 砷化鎵激光巴條 實(shí)用新型 CN201721537440.6 CN207588214U 2018-07-06

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