InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910235749.7 申請日 -
公開（公告）號 CN109802021A 公開（公告）日 2019-05-24
申請公布號 CN109802021A 申請公布日 2019-05-24
分類號 H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 董海亮; 賈志剛; 關(guān)永莉; 梁建; 米洪龍; 許并社; 楊鑫; 周王康 申請（專利權(quán)）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 031600 山西省臨汾市洪洞縣甘亭工業(yè)園區(qū)飛虹微納米光電科技有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種InGaN量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。包括藍(lán)寶石襯底；設(shè)于藍(lán)寶石襯底上面的GaN形核層；設(shè)于GaN形核層上面的未摻雜的GaN層；設(shè)于未摻雜的GaN層上面的n型GaN層；設(shè)于n型GaN層上面的第一GaN勢壘層；設(shè)于第一GaN勢壘層上面的量子阱區(qū)，量子阱區(qū)包括5～15周期的量子阱層，每個(gè)量子阱層從下至上依次包括InGaN量子點(diǎn)層、非線性變速生長的量子點(diǎn)蓋層和第二GaN勢壘層；設(shè)于量子阱區(qū)上面的p型AlGaN電子阻擋層；設(shè)于p型AlGaN電子阻擋層上面的p型GaN層；設(shè)于p型GaN層上面的p++型GaN電極接觸層。本發(fā)明能有效抑制量子點(diǎn)處In組分的偏析，減少界面位錯(cuò)的攀移，從而減少阱壘界面的位錯(cuò)密度，使量子點(diǎn)分布趨于均勻，實(shí)現(xiàn)高密度高性能InGaN量子點(diǎn)的制備。