940nm紅外LED的外延結構及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010219872.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111276582A 公開（公告）日 2020-06-12
申請公布號 CN111276582A 申請公布日 2020-06-12
分類號 H01L33/12(2010.01)I 分類 -
發(fā)明人 米洪龍;楊杰;關永莉;吳小強;楊鑫;周王康;申江濤;陜志芳;樊明明 申請（專利權）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 041600山西省臨汾市洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種940nm紅外LED的外延結構及其制備方法，屬于顯示設備領域。外延結構從下至上依次包括襯底(1)、襯底緩沖層(2)、下覆蓋層(3)、下波導層(4)、第一有源層(5)、晶格緩沖層(6)、第二有源層(7)、上波導層(8)、電流限制層(9)、上覆蓋層(10)、窗口層(11)和歐姆接觸層(12)，所述第一覆蓋層(3)包括第一覆蓋層(3?1)和第二覆蓋層(3?2)。本發(fā)明能提高外延結構的晶格質量、提供高勢壘電子、減少阱壘的失配效應、提高有源層阱的質量、提高器件的發(fā)光效率、提高電子?空穴的復合率而提升器件的發(fā)光效率、使器件電流可以均勻分布、提高歐姆接觸質量，因而可以多方位地提高基于該外延結構的940nm紅外LED的光電轉換效率。??