經過粗化的AlGaAs基LED的制備方法及LED

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010241001.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111430512A 公開（公告）日 2020-07-17
申請公布號 CN111430512A 申請公布日 2020-07-17
分類號 H01L33/00;H01L21/306;H01L33/22 分類 -
發(fā)明人 關永莉;米洪龍;徐小紅;段少清;楊鑫;周王康;陜志芳;樊明明 申請（專利權）人 山西飛虹微納米光電科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 041600 山西省臨汾市洪洞縣甘亭鎮(zhèn)燕壁村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種經過粗化的AlGaAs基LED的制備方法及LED，屬于顯示設備領域。本發(fā)明通過對擴膜處理后的LED芯片的側壁和表面進行粗化處理，使得相對僅對表面進行粗化處理的方式，粗化后LED芯片的亮度提高了1～1.5倍；通過三種刻蝕液依次對LED芯片的側壁和表面進行粗化處理，不僅能夠在LED芯片的側壁和表面形成非周期性的無規(guī)則圖形，從而可以提高LED產品的亮度，而且使得粗化處理后LED芯片的表面呈中性，從而能夠提高封裝后產品的使用壽命。