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    云南凝慧電子科技有限公司

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    專利信息62

    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 基于雙線性漸變Al組分AlGaN電子發(fā)射層GaN耿氏二極管及制作方法 發(fā)明專利 CN201410272508.7 CN104009157B 2016-10-12
    2 HEMT器件柵泄漏電流中臺(tái)面泄漏電流的測(cè)試方法 發(fā)明專利 CN201410319025.8 CN104062485B 2016-08-17
    3 基于復(fù)合漏極的槽柵高壓器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410033307.1 CN103839996B 2016-08-17
    4 加源場(chǎng)板耗盡型絕緣柵AlGaN/GaN器件結(jié)構(gòu)及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410025516.1 CN103779406B 2016-05-04
    5 一種基于槽柵高壓器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201410033269.X CN103794643B 2016-03-02
    6 選區(qū)外延的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310280177.7 CN103400856B 2016-03-02
    7 橫向過(guò)生長(zhǎng)一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310277894.4 CN103383959B 2015-10-28
    8 二次生長(zhǎng)的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310280220.X CN103367429B 2015-10-28
    9 基于刻蝕的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法 發(fā)明專利 CN201310280216.3 CN103367428B 2015-10-28
    10 基于a面6H-SiC襯底上a面GaN緩沖層上InN半導(dǎo)體器件的制備方法 發(fā)明專利 CN201310237610.9 CN103320764B 2015-10-21

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