選區(qū)外延的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310280177.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103400856B 公開（公告）日 2016-03-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN103400856B 申請(qǐng)公布日 2016-03-02
分類號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬曉華;郝躍;湯國平;陳偉偉;趙勝雷 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 云南凝慧電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 陜西電子工業(yè)專利中心 代理人 王品華;朱紅星
地址 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種選區(qū)外延的一維電子氣GaN基HEMT器件及制備方法，主要解決現(xiàn)有一維電子氣器件高溫高壓特性、頻率特性及功率特性較差的問題。該器件自下而上包括襯底、緩沖層、鈍化層和保護(hù)層；緩沖層采用GaN，該緩沖層上設(shè)有按周期性間隔排列的勢(shì)壘層條和掩蔽層條；勢(shì)壘層條上的兩端分別為源極和漏極；鈍化層位于勢(shì)壘層條和掩蔽層條上，該鈍化層上開有柵槽，柵槽中設(shè)有柵極；勢(shì)壘層條采用AlGaN，每條勢(shì)壘層條的寬度為納米量級(jí)，以形成一維電子氣。本發(fā)明與Si基和GaAs基一維電子氣器件相比，由于采用材料特性突出的寬禁帶半導(dǎo)體GaN，故具有很好的高溫高壓特性、頻率特性和功率特性，可制作超高速低功耗的一維電子氣器件。