基于復(fù)合漏極的槽柵高壓器件及其制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201410033307.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN103839996B | 公開(kāi)（公告）日 | 2016-08-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103839996B | 申請(qǐng)公布日 | 2016-08-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 馮倩;杜鍇;馬曉華;鄭雪峰;代波;郝躍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 云南凝慧電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京世譽(yù)鑫誠(chéng)專(zhuān)利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭官厚 |
| 地址 | 710071 陜西省西安市太白南路2號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種基于復(fù)合漏極的槽柵高壓器件及其制作方法，自下而上依次包括襯底、GaN緩沖層、GaN溝道層、AlN隔離層、本征AlGaN層和AlGaN勢(shì)壘層，所述AlGaN勢(shì)壘層上間隔設(shè)有源極、柵極和復(fù)合漏極，所述柵極和復(fù)合漏極之間還設(shè)有線性AlGaN層，線性AlGaN層上設(shè)有p?GaN層，P?GaN層上設(shè)有基極，上述結(jié)構(gòu)的頂層還間隔淀積有鈍化層，所述鈍化層的間隔內(nèi)淀積有加厚電極。本發(fā)明在器件導(dǎo)通時(shí)的導(dǎo)通電阻得到減小，而在截止?fàn)顟B(tài)時(shí)的擊穿電壓得到提高，兼顧了器件擊穿電壓的提高與導(dǎo)通電阻的減小，同時(shí)采用槽柵結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)了柵極對(duì)溝道2DEG的調(diào)控作用，提高了器件的頻率性能。 |
