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    • 匯思光電

    湖南匯思光電科技有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：湖南省長沙市岳麓山大學(xué)科技城岳麓街道科技創(chuàng)意園5棟238房
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 5
    • 專利信息 8
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息5

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 HS PHOTONICS 42類-網(wǎng)站服務(wù) 50146596 等待實質(zhì)審查 2020-09-28 查看
    2 匯思光電 42類-網(wǎng)站服務(wù) 50146577 等待實質(zhì)審查 2020-09-28 查看
    3 HS PHOTONICS 09類-科學(xué)儀器 50133554 等待實質(zhì)審查 2020-09-28 查看
    4 圖形 09類-科學(xué)儀器 46336605 商標(biāo)已注冊 2020-05-15 查看
    5 圖形 42類-網(wǎng)站服務(wù) 46332188 等待實質(zhì)審查 2020-05-15 查看

    專利信息8

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種PIN型InGaAsSb探測器及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110704500.3 CN113363341A 2021-09-07
    2 基于摻雜（Si）GeSn有源區(qū)的CMOS技術(shù)兼容硅基光源器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110482973.3 CN113193089A 2021-07-30
    3 一種基于GaAsOI襯底的InAs量子點(diǎn)激光器結(jié)構(gòu)及制備方法 發(fā)明專利 CN202110463249.6 CN113178771A 2021-07-27
    4 一種基于砷化鎵襯底的鍺雪崩光電探測器的制作方法 發(fā)明專利 CN202110440484.1 CN112951942A 2021-06-11
    5 一種基于InPOI襯底的InGaAs探測器結(jié)構(gòu)及制備方法 發(fā)明專利 CN202110440480.3 CN112951940A 2021-06-11
    6 基于納米空洞的低穿透位錯密度硅基砷化鎵層生長方法 發(fā)明專利 CN202011286959.8 CN112397374A 2021-02-23
    7 一種基于硅基量子點(diǎn)光子器件單片集成的方法 發(fā)明專利 CN202010736420.1 CN111883524A 2020-11-03
    8 一種基于CMOS技術(shù)兼容硅襯底的III-V族化合物材料生長方法 發(fā)明專利 CN202010415449.X CN111540671A 2020-08-14

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