基于納米空洞的低穿透位錯(cuò)密度硅基砷化鎵層生長(zhǎng)方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011286959.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112397374A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112397374A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號(hào) | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 陳思銘;唐明初;廖夢(mèng)雅 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南匯思光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 長(zhǎng)沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 莫曉齊 |
| 地址 | 410205湖南省長(zhǎng)沙市高新開(kāi)發(fā)區(qū)尖山路39號(hào)長(zhǎng)沙中電軟件園有限公司總部大樓G0575室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明具體公開(kāi)了一種基于納米空洞的低穿透位錯(cuò)密度硅基砷化鎵層生長(zhǎng)方法，所述方法包括以下步驟：S1、將硅襯底送入MBE腔中去除其表面氧化層；S2、在去除表面氧化層的硅襯底上生長(zhǎng)一層第一外延層并退火；S3、通過(guò)步驟S2的退火后進(jìn)行砷化銦納米點(diǎn)生長(zhǎng)；S4、通過(guò)步驟S3的砷化銦納米點(diǎn)生長(zhǎng)后再生長(zhǎng)一層第二外延層并再次退火；S5、通過(guò)步驟S4的再次退火后并生長(zhǎng)一層砷化鎵緩沖層，從而獲得基于納米空洞的低穿透位錯(cuò)密度硅基砷化鎵襯底。本發(fā)明通過(guò)采用納米尺寸的空洞極大降低了硅襯底上穿透型位錯(cuò)密度，能夠有效避免硅襯底在后續(xù)砷化鎵生長(zhǎng)中因使用過(guò)多層數(shù)超晶格位錯(cuò)過(guò)濾層而導(dǎo)致的微裂縫問(wèn)題，從而提高了硅基砷化鎵襯底上器件的性能。?? |
