一種基于CMOS技術(shù)兼容硅襯底的III-V族化合物材料生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010415449.X 申請日 -
公開（公告）號 CN111540671A 公開（公告）日 2020-08-14
申請公布號 CN111540671A 申請公布日 2020-08-14
分類號 H01L21/02(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 廖夢雅 申請（專利權(quán)）人 湖南匯思光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長沙市護(hù)航專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 湖南匯思光電科技有限公司
地址 410205湖南省長沙市高新開發(fā)區(qū)尖山路39號長沙中電軟件園有限公司總部大樓G0575室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明具體公開了一種基于CMOS技術(shù)兼容硅襯底的III?V族化合物材料生長方法，所述方法包括以下步驟：S1、將無切角硅襯底送入MBE腔內(nèi)以去除無切角硅襯底表面的氧化層；S2、在去除表面氧化層的無切角硅襯底上生長一層硅外延層并進(jìn)行MBE腔內(nèi)退火；S3、在經(jīng)過退火后的無切角硅襯底上進(jìn)行III?V族化合物材料生長以形成III?V族化合物緩沖層。本發(fā)明利用MBE設(shè)備在無切角硅襯底上生長了一層硅外延層，然后結(jié)合生長在硅外延層上的III?V族化合物緩沖層將反向疇終結(jié)在III?V族化合物緩沖層中，從而有效避免了反向疇出現(xiàn)在硅基光源的有源區(qū)中，解決了III?V族化合物在外延生長到非極性的硅襯底時(shí)所產(chǎn)生大量反向疇的問題。??