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    • 華潤上

    無錫華潤上華科技有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：無錫國家高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)86.87號地塊
    • 簡介：-
    • 商標信息 5
    • 專利信息 1821
    • 軟件著作權 0
    • 作品著作權 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標信息5

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 上華 42類-網(wǎng)站服務 3339696 商標已注冊 2002-10-18 查看
    2 上華 09類-科學儀器 3339695 商標已注冊 2002-10-18 查看
    3 CSMC 42類-網(wǎng)站服務 3339694 商標已注冊 2002-10-18 查看
    4 CSMC 09類-科學儀器 3339693 商標已注冊 2002-10-18 查看
    5 CSMC-HJ 09類-科學儀器 1558672 商標已注冊 1999-12-28 查看

    專利信息1821

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 集成有結型場效應晶體管的器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610793753.1 CN107785365B 2021-08-06
    2 半導體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202010065847.3 CN113140635A 2021-07-20
    3 OTP存儲器件及其制作方法、電子裝置 發(fā)明專利 CN201810404701.X CN110416214B 2021-07-20
    4 OTP存儲器件及其制作方法、電子裝置 發(fā)明專利 CN201810404695.8 CN110416213B 2021-07-20
    5 一種傳感器檢測電路及電子裝置 發(fā)明專利 CN201911395853.9 CN113131943A 2021-07-16
    6 LDMOS器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911418179.1 CN113130649A 2021-07-16
    7 一種半導體器件及其制作方法 發(fā)明專利 CN201911395825.7 CN113130646A 2021-07-16
    8 橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN201911418234.7 CN113130632A 2021-07-16
    9 一種半導體器件及其制備方法、電子裝置 發(fā)明專利 CN201911423898.2 CN113130314A 2021-07-16
    10 半導體工藝的關鍵尺寸的監(jiān)測結構及監(jiān)測方法 發(fā)明專利 CN201810317822.0 CN110364447B 2021-07-09

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    暫無信息 暫無軟件著作權

    作品著作權0

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