OTP存儲器件及其制作方法、電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810404695.8 申請日 -
公開（公告）號 CN110416213B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN110416213B 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L27/112;H01L21/8246 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫曉峰;秦仁剛;盛拓 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤上華科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 汪洋;張建
地址 214028 江蘇省無錫市國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種OTP存儲器件及其制作方法、電子裝置，該OTP存儲間包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；在第一有源區(qū)上形成有若干存儲單元，同一第一有源區(qū)上相鄰的所述存儲單元呈鏡像布置，并且具有公共的位線和源線，相鄰所述第一有源區(qū)上的位于同一直線上的所述位線通過所述第二有源區(qū)彼此連接成為公用位線，相鄰所述第一有源區(qū)上的位于同一直線上的所述源線彼此不連接；在所述半導(dǎo)體襯底上還形成有阻擋層，所述阻擋層覆蓋所述浮柵。根據(jù)本發(fā)明的OTP存儲器件可以避免相鄰的位線接觸孔橋接互連而引起器件失效的問題，提高了器件的良率和可靠性。該OTP存儲器件的制作方法和電子裝置具有類似的優(yōu)點(diǎn)。