OTP存儲器件及其制作方法、電子裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810404701.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110416214B 公開（公告）日 2021-07-20
申請公布號 CN110416214B 申請公布日 2021-07-20
分類號 H01L27/112 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫曉峰;秦仁剛;盛拓 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤上華科技有限公司
代理機構(gòu) 北京市磐華律師事務(wù)所 代理人 汪洋;張建
地址 214028 江蘇省無錫市國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)新洲路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種OTP存儲器件及其制作方法、電子裝置，包括：半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底中形成有沿第一方向延伸的有源區(qū)和隔離結(jié)構(gòu)，在所述有源區(qū)上形成有若干存儲單元，同一所述有源區(qū)上相鄰的所述存儲單元呈鏡像布置；在所述半導(dǎo)體襯底上還形成有阻擋層，所述阻擋層包括沿第二方向延伸的第一覆蓋部和沿第一方向延伸的第二覆蓋部，所述第一覆蓋部覆蓋位于同一直線上的所述浮柵以及相鄰的所述浮柵之間的所述隔離結(jié)構(gòu)，所述第二覆蓋部覆蓋所述相鄰的所述位線之間的所述隔離結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的OTP存儲器件可以避免相鄰的位線接觸孔橋接互連而引起器件失效的問題，提高了器件的良率和可靠性。該OTP存儲器件的制作方法和電子裝置具有類似的優(yōu)點。