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    • 擎茂

    上海擎茂微電子科技有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：上海市閔行區(qū)東川路555號乙樓一層1001室（集中登記地）
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 8
    • 專利信息 28
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 1
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息8

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 SHGME - 30490898 商標(biāo)已注冊 2018-04-25 查看
    2 擎茂微電子 - 30407772 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看
    3 擎茂微 - 30407726 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看
    4 圖形 - 30406029 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看
    5 擎茂微電子 - 30404463 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看
    6 擎茂微電子 - 30396856 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看
    7 擎茂微 - 30392754 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看
    8 擎茂微 - 30391325 商標(biāo)已注冊 2018-04-20 查看

    專利信息28

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種魯棒性高的半導(dǎo)體裝置及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110399546.9 CN113130628A 2021-07-16
    2 一種可靠性改善型半導(dǎo)體器件 發(fā)明專利 CN202110258725.0 CN113035933A 2021-06-25
    3 一種防止表面金屬層脫焊的半導(dǎo)體裝置及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011415145.X CN112542435A 2021-03-23
    4 一種用于制備半導(dǎo)體器件的晶圓及晶圓的背面減薄方法 發(fā)明專利 CN202010992591.0 CN111987146A 2020-11-24
    5 一種導(dǎo)通均勻性高的半導(dǎo)體功率器件 發(fā)明專利 CN202010473658.X CN111640717A 2020-09-08
    6 一種低應(yīng)力的半導(dǎo)體芯片 發(fā)明專利 CN202010348049.1 CN111508956A 2020-08-07
    7 一種反向恢復(fù)特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法 發(fā)明專利 CN202010165552.3 CN111430453A 2020-07-17
    8 一種RC-IGBT芯片及其制造方法 發(fā)明專利 CN202010031299.2 CN111211168A 2020-05-29
    9 一種高性能的絕緣柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu) 實用新型 CN201921553297.9 CN210607266U 2020-05-22
    10 一種改善擊穿特性的平面柵雙極型晶體管結(jié)構(gòu) 實用新型 CN201921552313.2 CN210607265U 2020-05-22

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)1

    序號 作品名 作品類別 登記號 創(chuàng)作完成日期 首次發(fā)表日期 登記批準(zhǔn)日期
    1 擎茂微 - 國作登字-2018-F-00562653 - 2017 2018

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