一種高性能的絕緣柵雙極型晶體管結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201921553297.9 申請日 -
公開（公告）號 CN210607266U 公開（公告）日 2020-05-22
申請公布號 CN210607266U 申請公布日 2020-05-22
分類號 H01L29/739;H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陽平 申請（專利權）人 上海擎茂微電子科技有限公司
代理機構 溫州知遠專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 上海擎茂微電子科技有限公司
地址 201100 上海市閔行區(qū)紫星路588號2幢1169室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種高性能的絕緣柵雙極型晶體管結構，包括半導體襯底、柵氧化層、多晶硅柵極、發(fā)射極電極、JFET區(qū)本體、絕緣介質層、N+發(fā)射區(qū)、P阱區(qū)、P+深阱區(qū)、漂移區(qū)、P型集電極區(qū)和集電極本體。本實用新型通過刻蝕工藝在JFET區(qū)本體的上方去除多晶硅柵極，使得器件承受反向耐壓時JFET區(qū)本體的表面電場大為減少，增強了P阱區(qū)對JFET區(qū)本體的耐壓保護作用，增大了器件的擊穿電壓，JFET區(qū)本體上方沒有多晶硅柵極，在器件承受反向擊穿電壓時，JFET區(qū)本體的表面電場強度降低，解決了JFET區(qū)表面的電場峰值增大，造成器件的擊穿電壓較低，以及柵源電容和柵漏電容較大，器件開通和關斷損耗較大的問題。