一種低應(yīng)力的半導(dǎo)體芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010348049.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111508956A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-08-07 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111508956A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-07 |
| 分類號(hào) | H01L27/082 | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 陽(yáng)平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 上海擎茂微電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 溫州知遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 上海擎茂微電子科技有限公司 |
| 地址 | 201100 上海市閔行區(qū)東川路555號(hào)乙樓一層1001室（集中登記地） | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種低應(yīng)力的半導(dǎo)體芯片，包括半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板包括由多個(gè)IGBT元胞并聯(lián)形成的IGBT芯片區(qū)，襯底上還設(shè)有阻止區(qū)，阻止區(qū)位于IGBT芯片區(qū)以外，阻止區(qū)內(nèi)設(shè)有設(shè)有第一接觸溝槽，第一接觸溝槽內(nèi)設(shè)有熱膨脹系數(shù)大于二氧化硅熱膨脹系數(shù)的金屬。本發(fā)明的低應(yīng)力的半導(dǎo)體芯片，能降低半導(dǎo)體芯片的面內(nèi)應(yīng)力和IGBT芯片區(qū)內(nèi)的應(yīng)力，改善硅片的翹曲度，能避免后續(xù)工藝中設(shè)備傳送問(wèn)題，能形成低應(yīng)力的深溝槽IGBT器件。 |
