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    • 漢驊

    蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司

    存續(xù)
    • 地址：中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)長陽街259號鐘園工業(yè)坊B0-1F西側(cè)
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 4
    • 專利信息 69
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 3

    商標(biāo)信息4

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 H HANHUA 09類-科學(xué)儀器 36636759 商標(biāo)無效 2019-03-05 查看
    2 H 09類-科學(xué)儀器 32830844 商標(biāo)已注冊 2018-08-10 查看
    3 HANHUA H 09類-科學(xué)儀器 32750133 等待實質(zhì)審查 2018-08-07 查看
    4 漢驊 09類-科學(xué)儀器 31525205 商標(biāo)無效 2018-06-11 查看

    專利信息69

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 半導(dǎo)體器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201910348146.8 CN110071172B 2022-03-18
    2 倒裝深紫外LED及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110841199.0 CN113555479A 2021-10-26
    3 微流芯片及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011196145.5 CN112295623B 2021-10-08
    4 半導(dǎo)體器件及其制備方法 發(fā)明專利 CN202110887343.4 CN113410285A 2021-09-17
    5 垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法及垂直腔面發(fā)射激光器 發(fā)明專利 CN202010499463.2 CN111600200B 2021-05-07
    6 微流芯片及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011196145.5 CN112295623A 2021-02-02
    7 垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法及垂直腔面發(fā)射激光器 發(fā)明專利 CN202010499463.2 CN111600200A 2020-08-28
    8 集成增強型與耗盡型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及其制造方法 發(fā)明專利 CN201811631597.4 CN109727918B 2020-05-19
    9 HEMT結(jié)構(gòu)及其制造方法 發(fā)明專利 CN201910603666.9 CN110335894B 2020-05-12
    10 金剛石基氮化鎵器件制造方法 發(fā)明專利 CN201810667077.2 CN108598036B 2020-03-27

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

    網(wǎng)站備案3

    序號 網(wǎng)站名 網(wǎng)址 備案號 主辦單位性質(zhì) 審核日期
    1 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司 www.hanhuasemi.com 蘇ICP備18036867號 企業(yè) 2019-12-10
    2 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司 www.hanhuasemi.com 蘇ICP備18036867號 企業(yè) 2019-12-10
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