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    • 中電芯谷

    南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司

    存續(xù)
    • 官網(wǎng)：-
    • 地址：南京市秦淮區(qū)永智路6號南京白下高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)四號樓1006室
    • 簡介：-
    • 商標(biāo)信息 8
    • 專利信息 43
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標(biāo)信息8

    序號 商標(biāo)名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 中電芯谷;CECV - 51264372 商標(biāo)已注冊 2020-11-13 查看
    2 中電芯谷;CECV - 51257882 商標(biāo)已注冊 2020-11-13 查看
    3 中電芯谷;CECV - 51251425 初審公告 2020-11-13 查看
    4 中電芯谷;CECV - 51245629 商標(biāo)已注冊 2020-11-13 查看
    5 中電芯谷;CECV - 51240892 等待實(shí)質(zhì)審查 2020-11-13 查看
    6 NECV - 49833019 商標(biāo)已注冊 2020-09-17 查看
    7 NECV - 49826031 初審公告 2020-09-17 查看
    8 NECV - 49818144 商標(biāo)已注冊 2020-09-17 查看

    專利信息43

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 一種高功率密度熱源器件 實(shí)用新型 CN202023066990.9 CN214014555U 2021-08-20
    2 一種太赫茲芯片制備用固定夾具 實(shí)用新型 CN202022885574.5 CN213889720U 2021-08-06
    3 一種自對準(zhǔn)低歐姆接觸電阻GaNHEMT器件 實(shí)用新型 CN202023053183.3 CN213782023U 2021-07-23
    4 一種太赫茲芯片制備用真空測試裝置 實(shí)用新型 CN202022915681.8 CN213689862U 2021-07-13
    5 一種離子注入氧化實(shí)現(xiàn)自對準(zhǔn)石墨烯晶體管的制造方法 發(fā)明專利 CN201910399746.7 CN110137075B 2021-06-11
    6 一種離子注入氧化實(shí)現(xiàn)自對準(zhǔn)石墨烯晶體管的制造方法 發(fā)明專利 CN201910399746.7 CN110137075A 2021-06-11
    7 一種三維集成芯片的空氣橋結(jié)構(gòu)保護(hù)方法 發(fā)明專利 CN201911209192.6 CN111092048B 2021-06-04
    8 一種三維集成芯片的空氣橋結(jié)構(gòu)保護(hù)方法 發(fā)明專利 CN201911209192.6 CN111092048A 2021-06-04
    9 一種自對準(zhǔn)低歐姆接觸電阻GaN HEMT器件及其制造方法 發(fā)明專利 CN202011497971.3 CN112885899A 2021-06-01
    10 一種改善磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管散熱的制備方法 發(fā)明專利 CN202011493926.0 CN112635322A 2021-04-09

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    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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