一種自對準(zhǔn)低歐姆接觸電阻GaN HEMT器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011497971.3 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN112885899A 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號(hào) CN112885899A 申請公布日 2021-06-01
分類號(hào) H01L29/47;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/28;H01L21/335;C23C16/04 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱廣潤;張凱;周建軍;陳堂勝 申請（專利權(quán)）人 南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京理工大學(xué)專利中心 代理人 陳鵬
地址 210000 江蘇省南京市秦淮區(qū)永智路6號(hào)南京白下高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)四號(hào)樓1006室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種自對準(zhǔn)超低歐姆接觸電阻GaN HEMT器件及其制造方法，主要解決了超高頻器件尺寸極限微縮條件下對柵源、柵漏間距的有效調(diào)制問題，并且具備較高的工藝穩(wěn)定性，可以實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室外的生產(chǎn)制造；所述器件包括襯底、緩沖層、高摻雜n+?GaN層、源極、勢壘層、柵極、勢壘金屬層和漏極。所述器件基本制造流程為先制造出肖特基T型柵結(jié)構(gòu)，利用所述T型柵結(jié)構(gòu)的金屬柵帽作為浮空掩膜，結(jié)合高各向異性刻蝕技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對源漏區(qū)域的定義，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)可靠的短歐姆接觸間距，有效降低GaN基器件溝道中載流子渡越時(shí)間帶來的寄生延時(shí)，提升器件截止頻率性能。