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    • 埃特曼

    埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

    存續(xù)
    • 地址：廈門市集美區(qū)后溪鎮(zhèn)金嶺北路159-7號101室
    • 簡介：-
    • 商標信息 8
    • 專利信息 8
    • 軟件著作權(quán) 0
    • 作品著作權(quán) 0
    • 網(wǎng)站備案 0

    商標信息8

    序號 商標名稱 國際分類 注冊號 狀態(tài) 申請日期 操作
    1 埃特曼 09類-科學(xué)儀器 51604707 初審公告 2020-11-25 查看
    2 埃特曼 35類-廣告銷售 51600386 初審公告 2020-11-25 查看
    3 ATOMAN SEMICONDUCTOR 42類-網(wǎng)站服務(wù) 51594779 等待實質(zhì)審查 2020-11-25 查看
    4 ATOMAN SEMICONDUCTOR 35類-廣告銷售 51589375 等待實質(zhì)審查 2020-11-25 查看
    5 ATOMAN SEMICONDUCTOR 07類-機械設(shè)備 51589202 等待實質(zhì)審查 2020-11-25 查看
    6 埃特曼 07類-機械設(shè)備 51581747 初審公告 2020-11-25 查看
    7 埃特曼 42類-網(wǎng)站服務(wù) 51572809 初審公告 2020-11-25 查看
    8 ATOMAN SEMICONDUCTOR 09類-科學(xué)儀器 51569956 等待實質(zhì)審查 2020-11-25 查看

    專利信息8

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 熱蒸發(fā)坩堝和熱蒸發(fā)裝置 實用新型 CN202022924974.2 CN214400692U 2021-10-15
    2 砷噴射室裝置及分子束外延設(shè)備 實用新型 CN202022701489.9 CN214271019U 2021-09-24
    3 真空樣品驅(qū)動裝置 實用新型 CN202120139045.2 CN214269374U 2021-09-24
    4 真空樣品驅(qū)動裝置 發(fā)明專利 CN202110069780.5 CN112758696A 2021-05-07
    5 銻化物高電子遷移率晶體管及制備方法 發(fā)明專利 CN202011438021.3 CN112563137A 2021-03-26
    6 具有過渡金屬硫化物薄膜的結(jié)構(gòu)的制備方法及結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN202011296337.3 CN112522783A 2021-03-19
    7 熱蒸發(fā)坩堝和熱蒸發(fā)裝置 發(fā)明專利 CN202011427178.6 CN112430799A 2021-03-02
    8 超導(dǎo)薄膜制備方法及超導(dǎo)薄膜 發(fā)明專利 CN202011012963.5 CN112126983A 2020-12-25

    軟件著作權(quán)0

    暫無信息 暫無軟件著作權(quán)

    作品著作權(quán)0

    暫無信息 暫無作品著作權(quán)

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    暫無信息 暫無網(wǎng)站備案
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