超導(dǎo)薄膜制備方法及超導(dǎo)薄膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011012963.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112126983A 公開（公告）日 2020-12-25
申請公布號 CN112126983A 申請公布日 2020-12-25
分類號 C30B29/52(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 倪健;樓廈;薛聰 申請（專利權(quán)）人 埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 埃特曼（深圳）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
地址 518051廣東省深圳市南山區(qū)招商街道文竹園社區(qū)荔園路51源華綜合樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及一種超導(dǎo)薄膜制備方法及超導(dǎo)薄膜，包括：提供基底；去除所述基底上表面的雜質(zhì)并形成平滑上表面；采用分子束外延生長技術(shù)于所述平滑上表面上生長鑭系金屬單晶層，使得所述平滑上表面與所述鑭系金屬單晶層之間生成一原子級平整的界面。本申請?zhí)峁┝艘环N制作工藝簡單、周期短的超導(dǎo)薄膜制備方法，利用該方法制備的超導(dǎo)薄膜具有優(yōu)良的低溫超導(dǎo)性能；并且該超導(dǎo)薄膜中具有一原子級平整的界面，該原子級平整的界面在原子尺度上規(guī)則、平整、幾乎無缺陷及雜質(zhì)，可以通過該原子級平整的界面研究電子結(jié)構(gòu)，以獲取超導(dǎo)電性的起源，也可以為完善超導(dǎo)理論、探索更多超導(dǎo)材料提供啟示。??