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    • 芯晶亮

    廈門(mén)芯晶亮電子科技有限公司

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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開(kāi)（公告）號(hào) 公布日期
    1 SiC MOSFET器件單元及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610080830.9 CN105576032B 2019-03-12
    2 降低逆向漏電流的GaN場(chǎng)效應(yīng)管組件胞架構(gòu) 發(fā)明專利 CN201610488152.X CN107546255A 2018-01-05
    3 晶體管封裝結(jié)構(gòu) 發(fā)明專利 CN201610488155.3 CN107546190A 2018-01-05
    4 降低逆向漏電流的SiC MOSFET組件及其制造方法 發(fā)明專利 CN201710035516.3 CN106920834A 2017-07-04
    5 SiC MOSFET器件單元 實(shí)用新型 CN201620115677.4 CN205621741U 2016-10-05
    6 SiC MOSFET器件單元及其制造方法 發(fā)明專利 CN201610080830.9 CN105576032A 2016-05-11
    7 碳化硅器件中的Trench MOSFET的柵氧化加工方法 發(fā)明專利 CN201610018524.2 CN105513962A 2016-04-20
    8 功率模塊 發(fā)明專利 CN201510734212.7 CN105405818A 2016-03-16
    9 功率元件 實(shí)用新型 CN201520564682.9 CN205050826U 2016-02-24
    10 增加散熱效能的功率元件 實(shí)用新型 CN201520564694.1 CN204885135U 2015-12-16

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