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    • 意發(fā)功率

    德興市意發(fā)功率半導(dǎo)體有限公司

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    序號(hào) 專利名稱 專利類型 申請(qǐng)?zhí)?/th> 公開（公告）號(hào) 公布日期
    1 一種復(fù)合式鈍化膜 實(shí)用新型 CN202120217286.4 CN214956754U 2021-11-30
    2 一種雙面散熱半導(dǎo)體IGBT管 實(shí)用新型 CN202120214287.3 CN214313602U 2021-09-28
    3 一種Si襯底-GAM外延的IGBT半導(dǎo)體器件 實(shí)用新型 CN202120214329.3 CN214313186U 2021-09-28
    4 一種基于N型注入層的IGBT芯片 實(shí)用新型 CN202120212809.6 CN214279971U 2021-09-24
    5 一種復(fù)合式鈍化膜及其制作方法 發(fā)明專利 CN202110104053.8 CN113436959A 2021-09-24
    6 一種GaN器件及其生成方法、SiC襯底的剝離方法及其剝離裝置 發(fā)明專利 CN202110105119.5 CN112885723A 2021-06-01
    7 一種IGBT芯片生產(chǎn)用去膜裝置的降噪機(jī)構(gòu) 實(shí)用新型 CN201921929809.7 CN211017015U 2020-07-14
    8 一種便攜式半導(dǎo)體分立器件測(cè)試裝置 實(shí)用新型 CN201921929915.5 CN211014352U 2020-07-14
    9 一種便于使用的半導(dǎo)體模塊測(cè)試裝置 實(shí)用新型 CN201921939257.8 CN210879552U 2020-06-30
    10 一種MOS器件針腳折彎裝置 實(shí)用新型 CN201921929807.8 CN210789011U 2020-06-19

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