龍馳
蘇州龍馳半導(dǎo)體科技有限公司
存續(xù)商標(biāo)信息1
| 序號(hào) | 商標(biāo)名稱(chēng) | 國(guó)際分類(lèi) | 注冊(cè)號(hào) | 狀態(tài) | 申請(qǐng)日期 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | LOONGSPEED | - | 64144435 | 等待實(shí)質(zhì)審查 | 2022-04-21 | 查看 |
專(zhuān)利信息5
| 序號(hào) | 專(zhuān)利名稱(chēng) | 專(zhuān)利類(lèi)型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(kāi)(公告)號(hào) | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半導(dǎo)體器件的制作方法和半導(dǎo)體器件 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN202210165013.9 | CN114551600A | 2022-05-27 |
| 2 | LDMOS開(kāi)關(guān)器件及其制作方法 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN202111679957.X | CN114334660A | 2022-04-12 |
| 3 | SiCMOSFET器件的柵氧化層的制作方法 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN202111670227.3 | CN114256065A | 2022-03-29 |
| 4 | 碳化硅器件的柵氧化層的制備方法與碳化硅器件 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN202111276192.5 | CN114023633A | 2022-02-08 |
| 5 | 碳化硅晶圓襯底的回收利用方法 | 發(fā)明專(zhuān)利 | CN201910957396.1 | CN112652567A | 2021-04-13 |
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