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    專利信息3

    序號 專利名稱 專利類型 申請?zhí)?/th> 公開（公告）號 公布日期
    1 金屬層作為源區(qū)的P型MOSFET結(jié)構(gòu)及其制備方法 發(fā)明專利 CN202111091024.9 CN113793873A 2021-12-14
    2 一種解決SGT-MOSFET場氧化層橫向過腐問題的制備方法 發(fā)明專利 CN202110900637.6 CN113782433A 2021-12-10
    3 一種解決SGT-MOSFET柵極多晶硅刻蝕穿通的工藝方法 發(fā)明專利 CN202110900618.3 CN113690143A 2021-11-23

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