中芯國(guó)際
中芯國(guó)際集成電路制造(天津)有限公司
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專利信息344
| 序號(hào) | 專利名稱 | 專利類型 | 申請(qǐng)?zhí)?/th> | 公開(kāi)(公告)號(hào) | 公布日期 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 半導(dǎo)體垂直結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體器件的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201810036773.3 | CN110047923B | 2022-03-18 |
| 2 | 硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法、CIS晶圓的形成方法及CIS晶圓 | 發(fā)明專利 | CN201810962910.6 | CN110858597B | 2022-03-11 |
| 3 | 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010815465.8 | CN114078747A | 2022-02-22 |
| 4 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法 | 發(fā)明專利 | CN202010748146.X | CN114068391A | 2022-02-18 |
| 5 | 研磨盤和化學(xué)機(jī)械研磨裝置 | 發(fā)明專利 | CN201810435796.1 | CN110450046B | 2022-02-15 |
| 6 | LDMOS晶體管及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN201710598075.8 | CN109285780B | 2022-02-01 |
| 7 | 半導(dǎo)體器件及其制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201710344093.3 | CN108878529B | 2021-11-26 |
| 8 | 半導(dǎo)體器件的制造方法 | 發(fā)明專利 | CN201810570900.8 | CN110571194B | 2021-11-19 |
| 9 | 一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法 | 發(fā)明專利 | CN201810565371.2 | CN110556299B | 2021-11-16 |
| 10 | 一種探針卡 | 發(fā)明專利 | CN202010315653.4 | CN113533929A | 2021-10-22 |
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